Fotodioda InGaAs 32μm 10G TO46

 

 

• Responsif Tinggi (Lebih besar dari atau sama dengan 0,7A/W): Memastikan konversi sinyal yang efisien, mengurangi konsumsi daya untuk-produksi modul optik skala besar-ideal untuk pembeli grosir InGaAs Photodiode TO46 yang berfokus pada efisiensi energi.

• Arus Gelap Rendah (Kurang dari atau sama dengan 1nA @5V): Meminimalkan gangguan sinyal, yang penting untuk-aplikasi telekomunikasi dan penginderaan presisi tinggi. Keuntungan ini menurunkan tingkat kegagalan untuk penerapan massal.

• Kapasitansi Rendah (Kurang dari atau sama dengan 0,25pF): Memungkinkan kinerja bandwidth 10G yang stabil, memenuhi persyaratan kecepatan modul 10G SFP+ dan jaringan pusat data.

• Pengelasan Laser & Paket TO-CAN: Meningkatkan stabilitas mekanis dan ketahanan termal (suhu pengoperasian -40~85 derajat), memastikan masa pakai yang lama (Lebih dari atau sama dengan 50.000 jam) dan mengurangi biaya penggantian untuk klien Fotodioda InGaAs pembelian massal.

• Kerugian Pengembalian Rendah (Lebih besar dari atau sama dengan 35dB): Mengurangi pantulan sinyal, meningkatkan integritas sistem-yang penting untuk proyek infrastruktur telekomunikasi.

 

 

• Jaringan Telekomunikasi: Kompatibel dengan sistem SDH/SONET, mendukung-penerimaan sinyal berkecepatan tinggi dalam-tautan serat optik jarak jauh-sempurna untuk sinyal tinggi keandalan Fotodioda InGaAs 32μm untuk pengadaan telekomunikasi.

• Modul Optik 10G SFP+: Digunakan di transceiver pusat data untuk mengubah sinyal optik menjadi sinyal listrik, dengan kapasitansi rendah (Kurang dari atau sama dengan 0,25pF) memastikan kehilangan sinyal minimal.

• Penginderaan Serat Optik: Ideal untuk sistem penginderaan industri (misalnya, jangkauan laser, pemantauan suhu) berkat panjang gelombang pengoperasiannya yang lebar (1100-1650nm) dan arus gelap yang rendah.

• Otomasi Industri: Diintegrasikan ke dalam peralatan komunikasi optik untuk otomatisasi pabrik, di mana masa pengoperasian yang lama (melalui pengelasan laser) mengurangi biaya pemeliharaan untuk pembeli grosir InGaAs Photodiode TO46.

 

Unit Penjualan	Barang tunggal
Ukuran paket tunggal	20X15X5 cm (Kemasan fleksibel, cocok untuk transportasi internasional)
Berat kotor tunggal	0,250kg

Jumlah (potongan)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Waktu tunggu (hari)	14	20	30	Untuk dinegosiasikan

Kami menawarkan solusi InGaAs Photodiode ODM khusus untuk memenuhi kebutuhan spesifik Anda:

• Parameter yang Dapat Disesuaikan: Diameter area fotosensitif (32μm/50μm/75μm), tipe paket (TO46/TO56), panjang lead, dan desain lensa.

• Siklus Perkembangan: 7-15 hari (sampel terlebih dahulu; produksi massal dimulai setelah persetujuan sampel).

 

Parameter	Simbol	Minimal.	Jenis	Maks.	Satuan
Kekuatan saturasi	hal	3	-	-	dBm
Arus Maju	Jika	-	-	10	mA
Tegangan Pembalik	Vr	-	5	15	V
Suhu Kotak Pengoperasian	Atas	-40	-	85	derajat
Suhu Penyimpanan	Tstg	-40	-	85	derajat
Penyolderan Timbal (Suhu/Waktu)	-	-	260/10	-	derajat / Detik

 

Parameter	Simbol	Minimal.	Jenis	Maks.	Satuan	Kondisi pengujian
Panjang Gelombang Operasi	λ	1100	-	1650	nm
Responsif	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Arus Gelap	Pengenal	-	0.2	1	tidak	Vr=5Vr
Kapasitansi	C	-	-	0.25	hal	Vr=5V,f=1MHz, casing terbuka
Bandwidth	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V,50 memuat dengan panjang kabel=6mm, kotak terbuka
Kerugian Pengembalian Optik	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Tag populer: 32μm 10g ingaas fotodioda to46, Cina 32μm 10g ingaas fotodioda to46 produsen, pemasok, pabrik